據(jù)中國科學院微電子研究所官微消息，中國共產(chǎn)黨黨員，中國科學院院士，我國杰出的微電子科學家，中國科學院微電子研究所研究員，原中國科學院微電子中心主任，第九屆、第十屆全國人民代表大會常務委員會委員吳德馨同志，因病醫(yī)治無效，于2026年3月23日13時15分在北京逝世，享年90歲。

　　公開資料顯示，吳德馨，女，1936年出生，河北樂亭縣人。1961年畢業(yè)于清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子所研究員。1991年當選為中國科學院院士(學部委員)。

　　20世紀60年代初，吳德馨作為主要負責人之一，在國內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛采用，并向全國推廣。60年代末期研究成功介質隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。

　　吳德馨在20世紀70年代末研究成功MOS4K位動態(tài)隨機存儲器。在國內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用于大規(guī)模集成電路的研制，并進行了提高成品率的研究。首先在國內(nèi)突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動態(tài)隨機存儲器。開發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創(chuàng)了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。

　　隨后，吳德馨在20世紀80年代末期自主開發(fā)成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發(fā)成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。20世紀90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。